Samsung je službeno predstavio 8GB LPDDR5 DRAM čip za pametne telefone. Prema tvrtki, ovo je prvi 8GB LPDDR5 čip napravljen tehnologijom označenom kao 10nm-klasa, što može biti bilo što između 10 i 19 nm. Prethodnik, odnosno 8GB LPDDR4 čip, proizveden je već 2014. godine, pa je bilo samo pitanje vremena kada će se južnokorejski div dosjetiti inovacije.
Samsung navodi da će LPDDR5 naći primjenu uglavnom u područjima 5G, automobilske industrije i mobilnih uređaja koji koriste umjetnu inteligenciju. Uz brzinu prijenosa od 6 Mbps, 400GB LPDDR8 DRAM čip je 5 puta brži od mobilnih DRAM čipova koji se koriste u trenutnim vodećim brodovima. Galaxy S9 ima LPDDR4X čip s brzinom prijenosa podataka od 4 Mbps. LPDDR266 može poslati 5 GB podataka u sekundi, što je otprilike 51,2 HD video datoteka.
Samsung će ponuditi i verziju s punom propusnošću na naponu od 1,1 V, kao i slabiju i štedljiviju 5 Mb/s na 500 V. LPDDR1,05 će nuditi i način dubokog mirovanja (Duboko spavanje), što će približno prepoloviti potrošnju energije trenutnih LPDDR4X DRAM-ova. Samsung tvrdi da s novim čipom može smanjiti potrošnju energije do 30%, a samim time i produžiti vijek trajanja baterija pametnog telefona.
Vjerojatno čip još uvijek u Galaxy Note9 se neće pojaviti, ali će ga vjerojatno dobiti sljedeće godine Galaxy S10.
